半導(dǎo)體二極管在正向偏壓下電阻很小，反向偏壓下電阻很大，在開關(guān)電路中利用半導(dǎo)體二極管的這種單向?qū)щ娞匦跃涂梢詫﹄娏髌鸾油ê完P(guān)斷的作用。用于這一目的的半導(dǎo)體二極管稱為開關(guān)二極管。常用的開關(guān)二極管有PN結(jié)二極管、PIN二極管和肖特基勢壘二極管,主要用于電子計算機、各種自動控制系統(tǒng)和微波電路中。開關(guān)二極管的開關(guān)時間主要由通態(tài)到關(guān)態(tài)的過渡時間決定，這個時間又稱反向恢復(fù)時間。從開始加反向偏壓時起到反向電流下降至起始值的1/10所需的時間稱為反向恢復(fù)時間。當(dāng)PN開關(guān)二極管處于通態(tài)時，空穴從P區(qū)注入到N區(qū)，形成正向通導(dǎo)電流，即通態(tài)時N區(qū)中總有一定的少數(shù)載流子儲存。加上反偏壓后,只有全部排除N區(qū)中儲存的少數(shù)載流子,二極管才能處于關(guān)態(tài)。PN開關(guān)二極管的反向恢復(fù)時間主要由排除 N區(qū)中儲存少數(shù)載流子所需的時間決定。在硅PN結(jié)型二極管中摻入金作為復(fù)合中心，可以縮短非平衡少數(shù)載流子的壽命，從而減小反向恢復(fù)時間，提高開關(guān)速度。直接帶隙半導(dǎo)體材料(如GaAs)的少數(shù)載流子壽命比硅短得多，利用砷化鎵材料可以制成超高速開關(guān)二極管。在金屬薄膜與半導(dǎo)體面接觸的肖特基勢壘二極管中，少數(shù)載流子的儲存效應(yīng)小到可以忽略，它可用作超高速開關(guān)二極管。